（一）现状
1、国外研究现状
目前全球FED研发特征是技术种类多样，着重应用基础研究。台湾友达光电在金融危机期间，在企业业绩严重滑坡，原先全力推动低功耗LCD、OLED、E-Paper和3D显示的背景下，逆势承接日本Sony的FED，介入FED研发，旨在开发高端FED显示器，目前正在进行中试产品开发；佳能推进55英寸SED产业化，制造技术正在改进之中；日立开发出32英寸MIM-FED显示器；NHK公司采用精密曝光和微纳材料开发出8k×4k的超高分辨率FED显示器；日本Futaba公司利用改进型Spindt结构，开发出高性能FED显示器，并在欧美推出车用FED显示器产品；韩国三星开发出为LCD配套的42英寸CNT-FED背光源，正在改造PDP旧线，可望年底或明年年初推向产业化。
2、国内研究现状
我国自1985年开始研究场发射冷阴极，主要研究单位有：福州大学、中山大学、清华大学、东南大学、华东师范大学、西安交通大学、郑州大学、西安电子科技大学、中科院北京电子所、中科院长春光机所、中科院上海微系统所、电子12所、彩虹集团、TCL集团、厦门火炬集团、上广电等等。经过二十多年的不懈努力，在科技部、国家基金委、教育部、中科院和地方政府的支持，特别是在“九五”、“十五”和“十一五”国家863计划和国家973计划的支持下，我国在新型场发射材料、场发射理论、场发射显示器件的设计与制备方面开展研究工作，具有较好的基础和研究特色，特别是在低逸出功印刷型LWF-PFED、新型纳米线冷阴极FED和类金刚石FED研究方面取得了较大的进展，为“十二五”开展FED研究打下良好的基础。
（二）主要技术瓶颈和未来发展趋势
Spindt尖锥阴极技术的工艺制造复杂，合格率控制难度较高,同时大面积均匀成型锥尖所需的微电子技术和微电子设备问题、栅极成膜的边缘形貌与栅控效果的一致性问题、如何降低成本问题都是阻碍其技术产业化的瓶颈。
CNT由于它的石墨表面具有较高的功函数，不利于场发射；由于它的导电性的可控性和一致性差，电子源发射均匀性差；由于它的高温生长和难于可控生长，在碳纳米管冷阴极中引入栅极结构比较困难，因此导致显示器的亮度和色度都偏差过大以及无法满足显示器像素精细化的要求。这些因素阻碍了CNT 产业化技术工艺的转化。
（三）技术路线图和技术发展预测
在背光源与照明方面将采用二极式CNT-FED技术，在显示方面可能采用改进型Spindt技术、微纳冷阴极技术或基于低逸出功材料的印刷技术。预期2012前完成背光源或照明产品的中试甚至规模量产，2015年开始进行显示产品的中试与量。
